功率半导体器件第一章 绪论1.1 理想的和典型的开关波形理想的功率器件需要具有无损耗地控制功率流向负载的能力 总耗散功率： 低频工作区：开态损耗占主导，低开态压降的功率开关器件是追求目标 高频工作区：开关损耗占主导，高开关速度和低的转换时间是追求目标 实际需要对低开态压降和低开关损耗进行折衷 1.2 理想的和典型的功率器件特性正向: 具有传导任意大电流而开态压降为0 的能力；反向阻断模式: 具有承受任意大电压而漏电流为0 的能力；具有为0 的开态- 关态转换时间. 1.3 单极性功率器件正向电压低，开关速度快；反向阻断电压低电压型控制型器件，驱动电路简单；窄导电沟道，通态电阻随漂移区长度急剧增大，限制了阻断电压(200V)1.4 双极性功率器件高浓度的载流子注入降低了器件的通态电阻( 电导率调制) ；关断时需要移除这些高浓度的载流子，导致大的关断损耗1.5 MOS- 双极功率器件 较易的电压控制、很强的电流处理能力和良好的高频性能1.6 双极性器件的理想漂移区比电阻：最大耗尽层宽度：最大耗尽层宽度：BFOM (Baligas figure of merit, Baliga 优值)1.7
