化学机械抛光的研究现状及发展趋势1 、化学机械抛光的基本原理及机理2 、抛光液3 、抛光垫4 、化学机械抛光的发展趋势1 化学机械抛光的基本原理及机理 化学机械抛光的基本原理 1-1 化学机械抛光-CMP(Chemical Mechanical Polishing) 。 CMP 是化学的和机械的综合作用, 在一定压力及抛光浆料存在下,在抛光液中的腐蚀介质作用下工件表面形成一层软化层，抛光液中的磨粒对工件上的软化层进行磨削， 因而在被研磨的工件表面形成光洁表面。1避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤2避免单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。CMP 相比其他方式的抛光的优点 图1 典型的化学机械抛光原理示意图化学抛光机的基本结构1-21. 循环泵2. 抛光液3. 过滤磁环4. 抛光机喷嘴5. 工件6. 压力钢柱7. 抛光垫8. 抛光盘9. 回收箱lO. 磁环图2 化学机械抛光机结构简图 化学机械抛光材料去除机理1-3 通过实验研究，CMP 的机理可以分为在材料的去除过程中是抛光液中化学反应和机械作用的综合结果。如图 3Text 1Text 2Text 3 Text
