2、化学气相沉积法(CVD)3、溶胶凝胶法定义：利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助等条件下控制反应气压、气流速率、基片材料温度等因素，从而控制纳米微粒薄膜的成核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而获得纳米结构的薄膜材料。分类：常压、低压、等离子体辅助气相沉积等。应用：在制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜材料中得到广泛应用。反应温度：大约为9002000，它取决于沉积物的特性。中温CVD(MTCVD)：典型反应温度大约为500800，它通常是通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD(MOCVD)。 等离子体增强CVD（PECVD）与激光CVD(LCVD)：气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活，也可以把反应温度降低。 （1）CVD的化学反应和特点(A)化学反应CVD是通过一个或多个化学反应得以实现的。 水解反应2AlCl3(g)+3H2OAl2O3(s)+6HCl(g)复合反应。 包含了上述一种或几种基本反应。例：在沉积难熔的碳化物或氮化物时，就包括热分解和还原反应CVD反应体系应满足的条件：(a)在沉积温度下
