半导体物理与器件陈延湖第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 前面几章讨论的半导体的载流子均为热平衡载流子，在一定温度下由本征激发和杂质激发产生的载流子浓度是一定的，用n0和p0表示热平衡电子浓度和空穴浓度:n 导带电子和价带空穴系统具有统一的费米能级EF对非简并半导体n 上式为非简并半导体处于热平衡的判据n 外界作用（如光照等）可以改变半导体的热平衡状态，使其处于非平衡状态，载流子浓度比平衡时多（ 少）一部分，称为非平衡载流子或过剩载流子在各种半导体器件中，非平衡载流子起了决定性作用n 非平衡过剩载流子的产生与复合的机理n 非平衡过剩载流子的寿命n 在存在漂移和扩散运动时，非平衡过剩载流子的时空分布特性分析连续性方程n 连续性方程的应用本章重点问题：本章主要内容n 非平衡载过剩流子的产生、复合、寿命（6.1 6.5）n 表面效应 表面复合（6.6）n 准费米能级（6.4）n 过剩载流子的性质-连续性方程（6.2） n 连续性方程的深入-过剩载流子的双极输运方程 及应用（6.3）6.1 载流子的产生与复合产生：电子和空穴的生成过程复合：电子和空穴消失的过程n 载流子的产生：n 热产生：热激
