第4章 存储器 11. 一个8K8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256256形式，存取周期为0.1s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 解：采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms，其中刷新死时间为：2560.1s=25.6s 采用分散刷新方式刷新间隔为： 256（0.1s+0.1s）=51.2s 采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms15. 设CPU共有16根地址线 ，8根数据线 ，并用（低电 平有效）作访 存控制信号，作读 写命令信号（高电 平为读 ，低电 平为 写）。现 有下列存储 芯片：ROM（2K8位，4K4位，8K8位），RAM（1K4位，2K8位，4K8位），及74138译码 器和其他门电 路（门电 路自定）。试从上述规 格中选 用合适芯片，画出CPU和存储 芯片的连 接图 。要求：（1）最小4K地址为 系统 程序区，409616383地址范围为 用户 程序区。（2）指出选 用的存储 芯片类 型及数量。（3）详细 画出片选逻辑 。解：（1）地址空间 分配图 ： 系统 程序区（ROM共4KB）：0000H-0FFFH 用户 程序区（RAM共12K
