精选优质文档-倾情为你奉上2011年大规模集成电路分析与设计复习提纲第2章MOSFET的工作原理及器件模型分析重点内容： CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的ID表达式，和跨导的定义及表达式。 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数。 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻，与沟道长度成反比。 MOS管结构电容的存在，它们各自的表达式。 MOS管完整的小信号模型。v MOSFET 的I-V 特性1. ,MOS管截止2. ,MOS管导通a.,MOS管工作在三极管区;当时,MOS工作于深Triode区,此时,为直线关系. 导通电阻:b.,MOS管工作在饱和区;跨导gm：是指在一定的VDS下，ID对VGS的变化率。饱和区跨导：三极管区跨导：v MOSFET 的二级效应1. 体效应: 源极电位和衬底电位不同,引起阈值电压的变化.2. 沟长调制效应: MOS工作在饱
