CMOS制造工艺流程介绍(共6页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上研究生课程报告题 目CMOS制造工艺流程介绍学生姓名鲁 力指导教师学 院物理与电子学院专业班级电子1602班研究生院制2017年4月专心-专注-专业CMOS制造工艺流程介绍CMOS的制作过程需要经过一系列复杂的化学和物理操作过程最后形成具有特定功能的集成电路。而做为一名集成电路专业的学生，如果对于半导体制造技术中具有代表性的CMOS制造工艺流程有个简单的了解，那么对将来进入集成电路行业是有很大帮助的。同时我也认为只有了解了CMOS的工艺才会在硬件电路设计中考虑到设计对实际制造的影响。通过查找相关资料，我发现CMOS制造工艺流程非常复杂，经过前面学者的简化主要由14个步骤组成，如下所示：（1） 双阱工艺注入在硅片上生成N阱和P阱。（2） 浅槽隔离工艺隔离硅有源区。（3） 多晶硅栅结构工艺得到栅结构。（4） 轻掺杂(LDD)漏注入工艺形成源漏区的浅注入。（5） 侧墙的形成保护沟道。（6）