晶闸管的伏安特性及主要参数ppt课件.ppt

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第一章 电力电子器件1-2 晶闸 管的伏安特性和主要参数学习目标 1.掌握晶闸管的伏安特性曲线。2.掌握晶闸管的主要参数,会根据参数选用晶闸管。 第一章 电力电子器件巩固复习:二极管的伏安特性第一章 电力电子器件巩固复习:二极管的伏安特性1、正向特性(二极管阳极电位大于阴极电位)(1)死区:当正向电压较小时,正向电流极小,二极管呈现很大的电阻,如图中OA段,通常把这个范围称为死区。死区电压:硅二极管0.5V左右,锗二极管0.2V(2)正向导通:当外加电压大于死区电压后,电流随电压的增大而急剧增大,二极管导通。导通电压:硅管0.7V,锗管0.3V。第一章 电力电子器件巩固复习:二极管的伏安特性2、反向特性(二极管阳极电位小于阴极电位)(1)反向饱和电流:当加反向电压时,二极管反向电流很小,而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化,故称为反向饱和电流。(2)反向击穿:若反向电压不断增大到一定数值时,反向电流就会突然增大,这种现象称为反向击穿。普通二极管不允许出现此种状态。第一章 电力电子器件晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系称为晶闸管的伏安特性。第一象限正向伏安特性,第三象限反向伏安

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