MEMS 工艺半导体制造技术梁 庭 3920330(o) L主要内容 掺杂技术、退火技术 表面薄膜制造技术 光刻技术 金属化技术 刻蚀技术 净化与清洗 接触与互连 键合、装配和封装集成电路制造过程一、 掺杂与退火掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线的目的。掺杂的主要形式：注入和扩散 退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不 活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。目的：激活杂质 消除损伤 结构释放后消除残余应力退火方式： 炉退火 快速退火1.扩散工艺定义：在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。形式：替代式扩散和间隙式扩散 恒定表面浓度扩散和再分布扩散替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： 、族元素一般要在很高的温度(9501280 )下进行磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：Na、K、Fe
