集成电路芯片封装技术(共4页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上引线键合应用范围:低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片互连的主要工艺方法,用于下列封装: 1、陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片 2、 陶瓷和塑料(CerQuads and PQFPs) 3、芯片尺寸封装(CSPs) 4、板上芯片(COB)硅片的磨削与研磨: 硅片的磨削与研磨是利用研磨膏以及水等介质,在研磨轮的作用下进行的一种减薄工艺,在这种工艺中硅片的减薄是一种物理的过程。硅片的应力消除: 为了堆叠裸片,芯片的最终厚度必须要减少到了30m甚至以下。用于3D互连的铜制层需要进行无金属污染的自由接触处理。应力消除加工方法,主要有以下4种。硅片的抛光与等离子体腐蚀: 研磨减薄工艺中,硅片的表面会在应力作用下产生细微的破坏,这些不完全平整的地方会大大降低硅片的机械强度,故在进行减薄以后一般需要提高硅片的抗折强度,降低外力对硅片的破坏作用。在这个过程中,一般会用到干式抛光或者等离子腐蚀。 干式抛光是指不使用水和研磨膏等介质,只使用干式抛光磨轮进行干式抛光的去除应力加工工艺。等离子腐蚀方法是指使用氟类气体的等离子对

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