精选优质文档-倾情为你奉上一、 名称：霍尔效应的应用二、 目的：1霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2测绘霍尔元件的VHIs，VHIM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。3学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。4学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。三、 器材：1、实验仪：（1）电磁铁。（2）样品和样品架。（3）Is和IM 换向开关及VH 、V 切换开关。2、测试仪：（1）两组恒流源。（2）直流数字电压表。四、 原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。如图15-1所示的半导体试样，若在X方向通以电流 ，在Z方向加磁场，则在Y方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的N型试样，霍尔电场
