高等半导体物理与器件1高等半导体物理高等半导体物理与器件与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础第十章 金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件2主要内容主要内容 双端MOS 结构 电容- 电压特性 MOSFET 基本工作原理 频率限制特性 小结第十章 金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件310.1 10.1 双端双端MOSMOS结构结构 MOSFET 的核心为一个称为MOS 电容的金属- 氧化物- 半导体结构金属可是铝或其他金属，更为通用的是多晶硅图中tox是氧化层厚度，ox是氧化层介电常数基本MOS 电容结构第十章 金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件4（11）能带图）能带图借助平行板电容器加以解释 借助平行板电容器加以解释加了负栅压的p 型衬底MOS 电容器的电场，存在空穴堆积层加了负栅压的p 型衬底MOS 电容器的能带图第十章 金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件5加了小的正栅压的p 型衬底MOS 电容器的电场，产生空间电荷区加小正栅压的p
