高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1）1高等半导体物理高等半导体物理与器件与器件第四章第四章 平衡半导体（平衡半导体（11）高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1）2前章概要前章概要内层允带都为满带导带：基本无电子占据价带：价电子占满导带之上仍有很多允带，但都为空带允带允带允带禁带禁带允带禁带（11）半导体材料能带图）半导体材料能带图高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1）3（22）状态密度）状态密度ggc c(EE)、ggv v(EE) k坐标下的量子态密度gT(k) ：k坐标下单位体积的量子态数目 k坐标下的量子态数Z(k)=V1*gT(k) ，V1 （k坐标下的体积）对k坐标求导数dZ(k) E(k)k dZ(E) 状态密度g(E)=dZ(E)/(V2*dE) ，V2 （直角坐标系下的体积）高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1）4本章主要内容本章主要内容 半导体中的载流子 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 小结高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（1）5平衡状态平衡状态（热平衡状态热平衡状态） 是指没有外界影响
