* 1第三章基本功率集成电路工艺* 2 /112主要内容n 功率集成电路兼容工艺概况n PIC的隔离技术n PIC功率器件PN结的终端技术n 主流工艺Bipolar-CMOS-DMOS技术n SPIC工艺例子n HV-IC工艺例子* 3 /112功率集成电路工艺功率集成电路内部包含低压控制电路(以低压CMOS为主)和功率器件两大部分,要实现低压和高压集成在一块芯片上,基本条件满足:n 一方面必须使高低压器件在电路结构、电性能参数上兼容;n 另一方面必须在制备工艺上相互兼容。
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