工艺集成 Process Integration大规模集成电路制造工艺知识回顾2工艺集成3集成电路的工艺集成： 运用各类单项工艺技术（外延、氧化、气相沉积、光刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺）形成电路结构的制造过程。 薄膜形成光刻 掺杂、刻蚀工艺集成4 形成薄膜：化学反应，PVD，CVD，旋涂，电镀； 光刻：实现图形的过渡转移； 改变薄膜：注入，扩散，退火； 刻蚀：最后图形的转移；器件的制备：各种工艺的集成 MOS，CMOS，BJT，BiCMOS，MESFET工艺目的：工艺的选择5工艺条件：温度, 压强, 时间, 功率, 剂量,气体流量, 工艺参数：厚度, 介电常数, 应力, 浓度, 速度,器件参数：阈值电压, 击穿电压, 漏电流, 增益,工艺的限制6 MOS：阈值电压束缚了氧化层厚度； BJT：电流增益束缚了基区宽度； 内连线：RC延迟束缚了电阻率； Al的存在限制了工艺温度； 刻蚀的选择比限制了材料的选择；器件特性要求对工艺的限制：工艺兼容性的限制：集成电路中器件的隔离7 由于MOSFET的源、漏与衬底的导电类型不同， 所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离(self-iso
