第四章 化学气相沉积李斌斌n 4.1 化学气相沉积n 4.2 硅气相外延生长4.1 化学气相沉积n 化学气相沉积(CVD) 是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。n 从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。n 沉积氮化硅膜(Si3N4) 就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积的优点n 准确控制薄膜的组分和掺杂水平n 可在复杂的衬底上沉积薄膜n 不需要昂贵的真空设备n 高温沉积可改善结晶完整性n 可在大尺寸基片上沉积薄膜生长设备分类闭管外延开管外延卧式立式桶式闭管外延n 闭管外延是将源材料，衬底等一起放在一密封容器内，容器抽空或者充气，将源和衬底分别放在两温区的不同温区处Ge+I2衬底Ge高温区 低温区闭管外延的特点n 设备简单n 生长在接近化学平衡条件下进行n 主要用于基础研究n 生长速度慢n 装片少开管外延n 开管外延是用运载气体将反应物蒸气由源区输运到沉积区进行化学反应和外延生长，副产物则被运载气体
