第九章辐射效应辐射环境，辐射效应，辐射的加固辐射效应的基本情况 核辐射的发展简史 国外情况 国内情况 研究对象与方法 描述辐射效应的几个物理量 中子注量 总剂量 剂量率发展简史 国外 20 世纪50 年代，研究各种材料在辐射场中性能的变化 1968 年美国出版了半导体辐射方面的专著 1964 年成立辐射效应委员会，并每年一次学术会议（IEEE 出版核科学会刊） 欧洲是核辐射研究的另一个发展中心 国内 20 世纪60 年代，原电子部14 所开始材料和器件的辐射效应研究 1979 年成立核电子学与核探测技术学会 1980 年在成都召开了第一次抗辐射学术会议研究对象与方法 主要是辐射环境中的材料、元器件、集成电路和电子系统 热门课题 新型抗辐射器件Si/SiO2 界面因辐射产生的俘获电荷和界面态理论 亚微米器件SOS 和SOI 抗辐射隔离技术 空间和靠近地面大气的单粒子环境和效应，高能中子引起CPU 等ULIC 的闩锁 双极，异质结器件及其IC 的辐射效应 研究方法描述辐射效应的几个物理量 中子注量：在给定的时间间隔内进入空间某点为中心小球体的中子数除以球体最大截面积的商 总剂量：样品在受辐
