MEMS工艺 光刻技术梁 庭 3920330(o) L主要内容光刻技术光刻技术的发展制版软光刻1.光刻（ Lithography ） 石版（litho ）光刻（lithography） 写（graphein） 重要性：是不可缺少的工艺步骤，是一个复杂的工艺流程光刻是加工制造集成电路图形结构以及微结构的关键工艺之一。 光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。光刻的整个生产过程正胶和负胶工艺正好形成两种互补的图形结构光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变正胶PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光刻胶由重氮醌酯（DQ）和酚醛树酯（N）两部分组成的DNQ。 分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶负胶两种组成部份的芳基氮化物橡胶光刻胶Kodak KTFR（敏感氮化聚慔戌二烯橡胶） 分辨率差，适于加工线宽
