第二章 PN 结机理与特性2.1 平衡PN 结的机理与特性2.1.1 PN 结的制备与杂质分布在N 型( 或P 型) 半导体单晶片衬底上，分别采用不同的掺杂方法，使原来半导体的一部分变成P 型，（或N 型），那么在P 型半导体与N 型半导体的交界面处就形成了PN 结，如图n 合金法及其杂质分布合金法制备PN 结的基本过程如图所示n 扩散法及其杂质分布用扩散法制备PN 结的基本过程如图扩散结的形成过程a ）氧化 b ）光刻 c ）P 型杂质的扩散 d ）n 离子注入法及杂质分布扩展结的杂质分布a ）恒定源杂质的分布 b ）限定源杂质的分布 c ）线性源变节近似离子注入PN 结及其杂质分布n 外延生长法2.1.2 平衡PN 结形成与能带n 1 平衡PN 结形成平衡PN 结空间电荷区的形成a ） P 区与N 区载流子扩散 b ）PN 结空间电荷区平衡PN 结表现出来的3 个主要特征：1. 通过平衡PN 结的静电流为零；2. 在空间电荷区，两侧正负空间电荷数量相等；3. 空间电荷区以外的N 型区和P 型区仍是电中性的。n 2 平衡PN 结的能带图平衡PN 结的能带图a ） N 型、P 型半导体
