第五讲-自停止技术及其应用(共13页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上第五讲：自停止技术及湿法硅加工技术的应用单从刻蚀反应的均匀性考虑，利用体硅刻蚀制备微米级硅薄膜是困难的。单晶硅薄膜结构拥有广泛的用途：谐振腔的梁或者壁膜，压力传感器的形变膜，加速度传感器的梁，微泵阀的运动腔壁膜及阀膜等，它们的厚度直接影响或者决定了器件的工作性能。除此之外，膜的均匀性和完整性同样重要，所以必须开发能够精确控制膜厚的自停止刻蚀技术。H：N：A1：3：8刻蚀液1轻掺杂自停止技术特点：工艺简单，操作性好，易于得到结晶性良好的大面积硅膜，但是缺陷会导致不均匀甚至腐蚀坑2重掺杂自停止技术：在各向异性腐蚀中，腐蚀速度会因重掺杂而受到抑制，遂构成了一种自终止技术的基础。可以得到大面积平滑硅膜，但是重掺杂使之电学性能不能再制作有源器件。3电化学自停止在稀的氢氟酸体系中，重掺杂往往先腐蚀，所以，其中的电化学终止层只能是轻掺杂，从上图可见，N型硅在没有光照的条件下阳极化不产生电流，所以，可以作为电化学刻蚀的终止