上页下页返回模拟电子技术基础4.3 金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) N沟道P沟道N沟道P沟道MOSFET耗尽型增强型类别 增强型： 没有导电沟道，耗尽型： 存在导电沟道，上页下页返回模拟电子技术基础4.3.1 N沟道增强型MOSFETgsdN+N+ SiO2保护层 AlbP结构示意图1. 结构 上页下页返回模拟电子技术基础结构与符号P 型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个 N 区在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层S D用金属铝引出源极 S 和漏极 DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极 GB耗尽层S 源极 SourceG 栅极 Gate D 漏极 DrainSGD衬底由于栅极与源极、漏极均无电接触，故称绝缘栅极，N沟道增强符号，箭头方向表示由P指向N。上页下页返回模拟电子技术基础2. 工作原理 电路连接图PN+sgdN+上页下页返回模拟电子技术基础(1) vGS =0 , vDS0此时不管vDS极性如何，源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0PN+sgN+iD=0d+漏极和衬底间PN结反偏，漏源
