模拟电路总结复习(共22页).doc

上传人:晟*** 文档编号:10500906 上传时间:2022-01-16 格式:DOC 页数:22 大小:590KB
下载 相关 举报
模拟电路总结复习(共22页).doc_第1页
第1页 / 共22页
模拟电路总结复习(共22页).doc_第2页
第2页 / 共22页
模拟电路总结复习(共22页).doc_第3页
第3页 / 共22页
模拟电路总结复习(共22页).doc_第4页
第4页 / 共22页
模拟电路总结复习(共22页).doc_第5页
第5页 / 共22页
点击查看更多>>
资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 实用文档资料库 > 公文范文

Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved

工信部备案号浙ICP备20026746号-2  

公安局备案号:浙公网安备33038302330469号

本站为C2C交文档易平台,即用户上传的文档直接卖给下载用户,本站只是网络服务中间平台,所有原创文档下载所得归上传人所有,若您发现上传作品侵犯了您的权利,请立刻联系网站客服并提供证据,平台将在3个工作日内予以改正。