氢谱中影响化学位移的因素(共9页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上氢谱中影响化学位移的因素1. 取代基电负性越强，d 越移向低场图3-18 取代基电负性对质子化学位移的影响表3-6 取代效应多取代效应强于单取代取代效应随着键距的延长而急剧降低去屏蔽效应（deshield）2. 相连碳原子的sp杂化轨道的s成分越多， d 越移向低场“sp3”质子 0-2“sp2”质子 4.5-7sp2-1s C-H键，C原子具有更多的s特征，s轨道的吸电子能力大于p轨道“sp”质子 2-33. 酸性质子 10-12作用和O电负性拉电子效应的双重影响氢键的影响和可交换质子 能够形成氢键的质子（-OH，-NH2）化学位移可变形成氢键的数目越多，质子的去屏蔽效应越强 氢键数目通常是浓度和温度的函数专心-专注-专业游离羟基（稀溶液）0.5-1.0 形成氢键（浓溶液）4-5可交换质子（活泼氢）3. 共轭效应