第第 7 章章 光学光刻光学光刻光刻 曝光刻蚀光源曝光方式 7.1 光刻概述光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准： 分辨率、对准精度分辨率、对准精度 和生产效率生产效率 。涂光刻 胶（正） 选择曝光选择曝光 光刻工艺流程光刻工艺流程显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移）光源紫外光（ UV）深紫外光（ DUV） g 线： 436 nm i 线： 365 nm KrF 准分子激光： 248 nm ArF 准分子激光： 193 nm极紫外光（ EUV）， 10 15 nm X 射线， 0.2 4 nm 电子束 离子束有掩模 方式无掩模方式（聚焦扫描方式）接触式非接触式 接近式投影式反射折射全场投影步进投影扫描步进投影矢量扫描光栅扫描混合扫描曝光方式 7.2 衍射衍射 当一个光学系统中的所有尺寸，如光源、反射器、透镜、掩模版上的特征尺寸等，都远大于光源波长时，可以将光作为在光学元件间直线运动的粒子来处理。 但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把光的传输作为电磁波来处理，必须考虑衍射和干涉。由于衍射的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强增加，从而影
