IGBT公司工程进度管理目录第一章 项目背景分析3第二章 工程项目进度计划制定7一、 制定进度计划的方法7第三章 工程项目进度控制9一、 项目进度控制的工作成果9第四章 项目基本情况11一、 项目承办单位11二、 项目实施的可行性12三、 项目建设选址13四、 建筑物建设规模13五、 项目总投资及资金构成14六、 资金筹措方案14七、 项目预期经济效益规划目标14八、 项目建设进度规划15第五章17一、 项目进度安排17二、 项目实施保障措施18第六章19一、 人力资源配置19二、 员工技能培训19第七章21一、 项目风险分析21二、 项目风险对策23第一章 项目背景分析IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,可以被认为是由MOSFET和BJT(双极性三极管)混合形成的器件,但比MOSFET制作更困难和复杂,耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V,而IGBT可以承受1000V以上的高电
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