泓域咨询 /IGBT项目专项扶持资金申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资45351.06万元，其中：建设投资35362.76万元，占项目总投资的77.98%；建设期利息898.64万元，占项目总投资的1.98%；流动资金9089.66万元，占项目总投资的20.04%。项目正常运营每年营业收入98600.00万元，综合总成本费用75353.10万元，净利润17040.76万元，财务内部收益率29.58%，财务净现值31046.76万元，全部投资回收期5.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该
