泓域咨询 /IGBT项目分析调研报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资31572.47万元，其中：建设投资25221.32万元，占项目总投资的79.88%；建设期利息584.12万元，占项目总投资的1.85%；流动资金5767.03万元，占项目总投资的18.27%。项目正常运营每年营业收入62800.00万元，综合总成本费用48946.02万元，净利润10134.44万元，财务内部收益率24.30%，财务净现值14305.44万元，全部投资回收期5.62年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。目录一、 公司基本信息4
