泓域咨询 /IGBT项目可行性研究申请报告IGBT项目可行性研究申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资24529.39万元，其中：建设投资19943.04万元，占项目总投资的81.30%；建设期利息236.36万元，占项目总投资的0.96%；流动资金4349.99万元，占项目总投资的17.73%。项目正常运营每年营业收入50000.00万元，综合总成本费用38331.82万元，净利润8544.92万元，财务内部收益率27.82%，财务净现值16421.40万元，全部投资回收期4.89年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及
