泓域咨询 /IGBT项目园区申请报告IGBT项目园区申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资32476.36万元，其中：建设投资26797.24万元，占项目总投资的82.51%；建设期利息619.57万元，占项目总投资的1.91%；流动资金5059.55万元，占项目总投资的15.58%。项目正常运营每年营业收入61000.00万元，综合总成本费用48385.50万元，净利润9223.33万元，财务内部收益率21.61%，财务净现值9431.54万元，全部投资回收期5.82年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的
