泓域咨询 /IGBT项目工业用地申请报告IGBT项目工业用地申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,可以被认为是由MOSFET和BJT(双极性三极管)混合形成的器件,但比MOSFET制作更困难和复杂,耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V,而IGBT可以承受1000V以上的高电压,因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算,项目总投资31036.60万元,其中:建设投资24361.21万元,占项目总投资的78.49%;建设期利息551.23万元,占项目总投资的1.78%;流动资金6124.16万元,占项目总投资的19.73%。项目正常运营每年营业收入66100.00万元,综合总成本费用50466.71万元,净利润11462.52万元,财务内部收益率28.78%,财务净现值16361.34万元,全部投资回收期5.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而