IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx

上传人:m**** 文档编号:10621963 上传时间:2022-01-21 格式:DOCX 页数:40 大小:57.47KB
下载 相关 举报
IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx_第1页
第1页 / 共40页
IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx_第2页
第2页 / 共40页
IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx_第3页
第3页 / 共40页
IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx_第4页
第4页 / 共40页
IGBT项目工业用地申请报告(模板范文).docx_第5页
第5页 / 共40页
点击查看更多>>
资源描述

泓域咨询 /IGBT项目工业用地申请报告IGBT项目工业用地申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,可以被认为是由MOSFET和BJT(双极性三极管)混合形成的器件,但比MOSFET制作更困难和复杂,耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V,而IGBT可以承受1000V以上的高电压,因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算,项目总投资31036.60万元,其中:建设投资24361.21万元,占项目总投资的78.49%;建设期利息551.23万元,占项目总投资的1.78%;流动资金6124.16万元,占项目总投资的19.73%。项目正常运营每年营业收入66100.00万元,综合总成本费用50466.71万元,净利润11462.52万元,财务内部收益率28.78%,财务净现值16361.34万元,全部投资回收期5.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而

展开阅读全文
相关资源
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 企业管理资料库 > 体系管理

Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved

工信部备案号浙ICP备20026746号-2  

公安局备案号:浙公网安备33038302330469号

本站为C2C交文档易平台,即用户上传的文档直接卖给下载用户,本站只是网络服务中间平台,所有原创文档下载所得归上传人所有,若您发现上传作品侵犯了您的权利,请立刻联系网站客服并提供证据,平台将在3个工作日内予以改正。