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IGBT项目工程投资控制xxx投资管理公司目录第一章 项目背景分析3第二章 项目基本情况7一、 项目概况7二、 结论分析7第三章 工程项目施工阶段的投资控制10一、 投资偏差分析10第四章 工程项目设计阶段投资控制16一、 设计概算的编制与审查16第五章30一、 公司发展规划30二、 保障措施31第六章34一、 项目进度安排34二、 项目实施保障措施35第七章36一、 项目风险分析36二、 项目风险对策38第一章 项目背景分析IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据英飞凌的技术，IGBT的发展可划分为三个阶段。第一阶段是