泓域咨询 /IGBT项目投资计划与建设方案报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资7206.51万元，其中：建设投资5501.24万元，占项目总投资的76.34%；建设期利息129.88万元，占项目总投资的1.80%；流动资金1575.39万元，占项目总投资的21.86%。项目正常运营每年营业收入14700.00万元，综合总成本费用11702.31万元，净利润2191.18万元，财务内部收益率21.91%，财务净现值2515.56万元，全部投资回收期5.93年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件
