泓域咨询 /IGBT项目投资计划IGBT项目投资计划报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资34021.67万元，其中：建设投资26680.00万元，占项目总投资的78.42%；建设期利息368.74万元，占项目总投资的1.08%；流动资金6972.93万元，占项目总投资的20.50%。项目正常运营每年营业收入80000.00万元，综合总成本费用64245.62万元，净利润11535.60万元，财务内部收益率27.33%，财务净现值21575.93万元，全部投资回收期4.99年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显
