泓域咨询 /IGBT项目建设方案与投资计划报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资22724.71万元，其中：建设投资18393.88万元，占项目总投资的80.94%；建设期利息191.00万元，占项目总投资的0.84%；流动资金4139.83万元，占项目总投资的18.22%。项目正常运营每年营业收入48200.00万元，综合总成本费用39714.18万元，净利润6196.25万元，财务内部收益率20.32%，财务净现值5991.17万元，全部投资回收期5.65年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。目录一、 市场分析4
