泓域咨询 /IGBT项目建设投资申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资24714.53万元，其中：建设投资20272.29万元，占项目总投资的82.03%；建设期利息243.84万元，占项目总投资的0.99%；流动资金4198.40万元，占项目总投资的16.99%。项目正常运营每年营业收入50700.00万元，综合总成本费用39091.57万元，净利润8503.61万元，财务内部收益率28.18%，财务净现值15118.11万元，全部投资回收期4.86年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有
