IGBT项目方案设计（模板范本）.docx

泓域咨询 /IGBT项目方案设计目录一、 市场分析3二、 项目名称及建设性质6三、 项目承办单位6四、 项目定位及建设理由6主要经济指标一览表7五、 社会经济发展目标8六、 建设规模及主要建设内容9七、 保障措施9八、 高级管理人员11九、 质量管理13十、 环境影响合理性分析14十一、 防范措施14十二、 项目进度安排18项目实施进度计划一览表18十三、 人力资源配置19劳动定员一览表20十四、 项目总投资20总投资及构成一览表20十五、 资金筹措与投资计划21项目投资计划与资金筹措一览表21十六、 经济评价财务测算22十七、 招标组织方式24十八、 总结27一、 市场分析IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压