泓域咨询 /IGBT项目立项核准报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资5924.47万元，其中：建设投资4674.34万元，占项目总投资的78.90%；建设期利息48.30万元，占项目总投资的0.82%；流动资金1201.83万元，占项目总投资的20.29%。项目正常运营每年营业收入13500.00万元，综合总成本费用10574.67万元，净利润2142.26万元，财务内部收益率28.83%，财务净现值4589.81万元，全部投资回收期4.87年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行
