IGBT项目规划设计方案（模板）.docx

泓域咨询 /IGBT项目规划设计方案目录一、 项目背景分析2二、 公司主要财务数据3公司合并资产负债表主要数据3公司合并利润表主要数据3三、 项目名称及项目单位3四、 项目建设地点4五、 编制依据和技术原则4主要经济指标一览表6六、 主要结论及建议7七、 建设规模及主要建设内容7八、 财务会计制度8九、 公司发展规划14十、 项目建设期原辅材料供应情况15十一、 人力资源配置15劳动定员一览表16十二、 项目总投资16总投资及构成一览表16十三、 资金筹措与投资计划17项目投资计划与资金筹措一览表17十四、 经济评价财务测算18十五、 项目盈利能力分析20十六、 项目风险对策21十七、 项目招标依据23十八、 总结23报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20