泓域咨询 /IGBT项目财政资金申请报告IGBT项目财政资金申请报告报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资43718.46万元，其中：建设投资32512.09万元，占项目总投资的74.37%；建设期利息395.29万元，占项目总投资的0.90%；流动资金10811.08万元，占项目总投资的24.73%。项目正常运营每年营业收入95900.00万元，综合总成本费用75959.40万元，净利润14603.46万元，财务内部收益率26.23%，财务净现值22201.20万元，全部投资回收期5.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量
