泓域咨询 /IGBT项目财务分析报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,可以被认为是由MOSFET和BJT(双极性三极管)混合形成的器件,但比MOSFET制作更困难和复杂,耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V,而IGBT可以承受1000V以上的高电压,因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算,项目总投资16180.80万元,其中:建设投资13363.27万元,占项目总投资的82.59%;建设期利息160.65万元,占项目总投资的0.99%;流动资金2656.88万元,占项目总投资的16.42%。项目正常运营每年营业收入33000.00万元,综合总成本费用25771.82万元,净利润5294.15万元,财务内部收益率27.28%,财务净现值10207.29万元,全部投资回收期4.89年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈