n 6.1 p-n结及其能带图n 6.2 p-n结电流电压特性n 6.3 p-n结电容n 6.4 p-n结的击穿n 6.5 p-n结隧道效应第六章 pn结 一、 p-n结的形成和杂质分布p 型半导体和 n 型半导体结合在一起，在交界面处其杂质分布不均匀，形成 pn 结 。pn结利用控制杂质分布的工艺方法来实现6.1 p-n结及其能带图1合金法用合金法制备的 p-n结一般为 突变结 ； xN NA ND突变结的杂质分布xjP+n结p n用扩散法制备的 p-n结一般为 缓变结 ，杂质浓度逐渐变化。 2扩散法 0 xN(x) NA(x)NDxj扩散结杂质分布由扩散过程和杂质补偿决定p n线性缓变结 ：在扩散结中，杂质分布可用x=xj 处的切线近似表示。xxjND-NA线性缓变结近似扩散结的杂质分布但对高表面浓度的浅扩散结，用突变结近似0 xNANDN(x)突变结近似扩散结的杂质分布xj 突变结缓变结pn结合金结 高表面浓度的浅扩散结（ p+n或 n+p)根据杂质分布低表面浓度的深扩散结二、二、 空间电荷区 二、二、 空间电荷区
