1、模拟电子技术基础 http:/第三章 半导体三极管及放大电路基础教学内容：本章首先讨论了半导体三极管 (BJT)的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 随后着重讨论了 BJT放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种基本放大电路。还介绍了 BJT的静态、动态分析，图解法和微变等效电路法，并把其作为分析放大电路的基本方法。然后就是工作点的稳定和多级放大电路。模拟电子技术基础 http:/教学要求：本章需重点掌握三极管的模型与特性；并能熟练进行基本放大电路静态工作点的确定，估算法和微变等效电路法的掌握，以及输入电阻、输出电阻、电压放大倍数的计算。模拟电子技术基础 http:/3.1 半导
2、体三极管3.2 共射极放大电路3.3 放大电路的性能指标3.4 放大电路的静态分析3.5 放大电路的动态分析3.6 放大电路的工作点稳定情况3.7 共集电极电路和共基极电路3.8 多级放大电路模拟电子技术基础 http:/3.1 半导体 BJTBJT是通过一定的工艺，将两个 PN结接合在一起而构成的器件。 BJT有两种类型： NPN型和 PNP型。其内部特点是发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度很小。外部放大条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置。模拟电子技术基础 http:/3.1.1 BJT的结构当两块不同类型的半导体结合在一起时，它们的交界处就会形成 PN结，因此 BJT有两个 PN
3、 结：发射区与基区交界处的 PN结称为发射结 ，集电区与基区交界处的 PN结称为集电结 ，两个 PN 结通过很薄的基区联系着。同样， PNP型与 NPN型相似，特性几乎相同，只不过各点极端的电压极性和电流流向不同而已。模拟电子技术基础 http:/图 3.1.1 NPN型三极管的结构示意图及其在电路中的符号(a)NPN (b)PNP基极 bbceceb集电区发射区发射结集电结基极 bccbeeb基区发射极 e集电极 cNP发射极 e集电极 cPNN P晶体管 3个区有如下特点：（ 1）发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度（ 2）基区很薄，一般为 1m至几 m。（ 3）集电结面积大于发射结面积
4、。模拟电子技术基础 http:/3.1.2 BJT的电流放大原理通过改变加在晶体管三个极上的电压可以改变两个PN结的偏置电压，从而使晶体管有三种工作状态：当发射结和集电结均反偏时，处于截至状态 ；当发射结正偏、集电结反偏时，处于放大状态；当发射结和集电结均正偏时，处于饱和状态。当晶体管处于放大状态时，能将基极的小电流放大为集电极的大电流，现以 NPN型晶体管为例分析其 放大原理 。1. BJT内部载流子的运动为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的 条件 是 :发射结加正向电压 (正向偏置 )，集电结加反向电压 (反向偏置 )，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列过程，如图
5、 2-2所示 : 模拟电子技术基础 http:/图 3.1.2 三极管内部载流子的运动情况+RCcbeICIEIBVCcVBBRBICBOICNIBNNPN模拟电子技术基础 http:/(1)发射区向基区注入电子由于发射结外加正向电压，发射区的多数载流子电子不断通过发射结 扩散 到基区，同时基区的多子 -空穴越过发射结进入发射区。因为基区很薄，掺杂浓度又较低，所以空穴数目较少，因此由空穴形成的电流可以忽略。故可认为主要有发射区电子形成发射极电流 E ， 其 方向与电子流动方向相反 。(2)电子在基区中的扩散和复合电子到达基区后，由于基区中空穴浓度低，只有很少一部分电子与基区中的空穴复合。复合掉
6、的空穴由外电源补充，这样就形成了较小的电流 IBN， IBN的方向由外电源流入基区。剩下的大部分电子 扩散 到集电结。模拟电子技术基础 http:/(3) 集电区收集扩散过来的电子由于集电结处于反偏状态，扩散到集电结的电子很快漂移到集电区，形成电流 ICN。由于 集电结反偏，使集电区的多子电子和基区的少子空穴不能向对方扩散；而集电区中的少子空穴和基区中的少子电子可以漂移到对方，形成反向饱和电流 ICBO， ICBO值很小，但由于它是由少子形成的，容易受温度的影响，对三极管性能影响较大。 ICN的方向由外电源流入集电区（与 扩散到集电结的电子漂移到集电区的方向相反 ）， ICBO的 方向从集电区流向基区。经以上分析和图 2-2可知，由ICN与 ICBO构成集电极电流 IC。 IBN和 ICBO构成基极电流 IB。根据KCL（ Kirchhoffs Current Law,基尔霍夫电路定律） 得出电流分配关系如下：
