直拉单晶工艺常识(共5页).docx

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精选优质文档-倾情为你奉上直拉单晶工艺常识硅的固态密度:2.33克/,液态密度2.54克/,呈灰色金属光泽,性质较脆,切割时易断裂,比重较小,硬度较大,属于非金属,是极为重要的半导体元素,液态时其表面张力较大,从液态到固态时体积膨胀较多。氧在硅晶体中的分布是不均匀的,一般头部含量高,尾部含量低,晶体中心部位含量高,边缘含量低。碳在晶体中的分布是中心部位低,边缘部位高。电阻率:单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力,晶向:一簇晶列的取向。母合金:生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。偏度:晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。空穴:半导体价带结构中一种流动的空位,其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。迁移率:载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。载流子:固体中一种能传输电荷的载体,又称电载流。少数载流子寿命:在光电作用下,非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。杂质分凝:在结晶过程中,由于杂质偏析,出现杂质分配现象叫杂质分凝。扩散:物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。热对流:液体或气体

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