精选优质文档-倾情为你奉上钉扎效应不随掺杂等而发生位置变化的效应，称为费米能级的钉扎效应（Pinning effect）。费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的是容易发生位置变化的。例如，掺入即可使Fermi能级移向底，半导体变成为；掺入即可使Fermi能级移向顶，半导体变成为。产生钉扎效应时，半导体中即使掺入很多的施主或者，这些杂质也不能激活，也就不能提供，从而也不会改变费米能级的位置。产生费米能级钉扎效应的原因，与材料的本性有关。宽禁带半导体（GaN、SiC等）就是一个典型的例子，这种半导体一般只能制备成n型或p型的半导体，掺杂不能改变其型号（即Fermi不能移动），故称为。一般，离子性较强的半导体（如-族半导体，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是单极性半导体。这主要是由于其中存在大量带电缺陷，使得被钉扎住所造成的。正因为如此，采用GaN来制作发蓝光的二极管时，先前就遇到了很大的困难，后来通过特殊的退火措施才激活了掺入的施主或，获得了制作出了发蓝色光的二极管。也往往存在费米能级钉扎效应。制作出的非晶态半导体多是材料
