半导体简答题(共13页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上1. 在怎样条件下,电流密度随电场强度成线性变化?在强电场下,欧姆定律是否仍然正确? 电场强度不大的条件下;不正确2.产生负微分电导的条件是什么?3.如何用霍耳效应来测量出半导体的导电类型、载流子浓度及迁移率? 从霍尔电压的正负可以判别半导体的导电类型;测出RH可求载流子浓度;测出电导率可求出霍尔迁移率。4.具有相同电阻率的掺杂锗和硅,哪一个材料的少子浓度高?为什么?锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别,可以算出锗的少子浓度高。5. 电导有效质量与状态密度有效质量有何区别?它们与电子的纵向有效质量和横向有效质量的关系如何?当导带底的等能面不是球面时,不同方向的电导的有效质量就不同,且态密度分布可能不同,通过把不同的电导有效质量进行加权平均,就可以换算得到状态密度的有效质量。6.什么是声子?它对半导体材料的电导起什么作用?声子是晶格振动的简正模能量量子,声子可以产生和消灭,有相互作用的声子数不守恒,声子动量的守恒律也不同于一般的粒子,并且声子不能脱离固体存在

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