大学微电子器件期末考试要点归纳总结(共1页).docx

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精选优质文档-倾情为你奉上微电子器件期末总结1. 提高半导体的掺杂浓度,p-n结的势垒高度将会 升高 ,p-n结势垒厚度将会 降低 2. 通过pn结的电子电流 小于 空穴电流3. 与双极型晶体管不同,场效应晶体管是 电压 控制器件,是 多数 载流子器件4.p-n结的基本特点是具有 单向 导电性,pn结正向偏置时 导通 ,反向偏置时 截止 5. pn结正向导通电压Vf主要与Bg有关,Eg越宽Io就 越小 ,同种条件下所需Vf则越大 6.一般的双极晶体管的发射区 基区 集电区的杂志浓度大小顺序为发射区基区集电区7.pn结点击穿产生机构有两种: 雪崩击穿 、 齐纳击穿8. pn结正向电流的来源是多姿,所以正向电流 较大 ,反向电流来源是勺子,所以反向电流 较小 ,如果给反偏pn结提供大量少子,就能使反向电流 9.场效应管三个电极中,D表示漏极,S表示源极,G表示栅极10.MOSFET的亚阈状态是不出现沟道的一种工作模式,亚阈电流与 极电压之间有 指数 关系1.pn结正向电压呈现出的电容,有 扩散电容 和 势垒电容3

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