1、第一章 常用半导体器件 1 习 题 答 案题 1.1 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（ 7） 、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。题 1.2 二极管电路如图 T1.2 所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压 。设二极管的导通压降为 。 OUV7.0=DU图 T 1 . 2A1B1 2 V9 V2DR2BOUA1B1 0 V1 5 V2DR2B1D1DUOOUAB5 V1 0 VDROUAB1 0 V5 VDRC(a) (b)(d)
2、(c )解：（a）U O=UAU D=5V0.7V=5.7V（b）U O=UB=UC=5V（c）U O=UA=0.7V（d）U O=UA= 9.3V 题1.3 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知 (mV)sin10itu ， ，2.1E+RiuCDDuDim A/DiV/Du1 . 20 . 90 . 60 . 30481 2E图 T 1 . 3( a )( b )， 电容C和直流电源 E对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所10R示，求二极管两端的电压和流过二极管的电流。 解： mA)sin92.5(dDtiIi V017uU第一章 常用半导体器件 2 题 1.4
3、设图 T1.4 中的二极管 D 为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。1 0 V6 k 4 k D 4 k 5 k 2 0 V 5 k 1 k 1 0 V1 8 k 2 k D2 0 k 1 4 k 1 5 V 1 k 5 k A A B B ( a ) ( b )图 T 1 . 4解：(a) A410(20)9V6U, 二极管导通；BAB51,U(b) A5()42820, 二极管截止。BAB15V,4U题1.5 在图T1.5所示电路中，已知 ,二极管的正向压降t(V)sin10=iu和反向电流均可忽略。分别画出它们的输出波形和传输特性曲线 。)(=iOuf解：uo( V )ui( V
4、 )5uo( V )5 too5 / 3 5 / 6( a )uo( V )ui( V )5uo( V )5 too5 / 3 5 / 6( d )ui( V )55 too5( b )uo( V )uo( V ) / 3 5 / 62 ui( V )55 too5( c )uo( V )uo( V ) / 3 5 / 62 ou1k5VD ou1kDiu5Vou1kDiu5V ou1kDiu5Viu(a)(c) (d)(b)图 T1.5第一章 常用半导体器件 3 题1.6 有两只硅稳压管 、 ，它们的正向导通电压 ，稳压值1ZD2 V7.0=DU分别为 ， 。试问：V6=1ZU92Z（1）
5、将它们串联相接时可以得到几种稳压值，各为多少？（2） 将它们并联相接时又可以得到几种稳压值，各为多少？解：（1）6.7V，9.7V，15V；（2）0.7V，6V。题1.7 已知稳压管 的稳压值 ，最小稳定电流 ，ZDV6ZUmA5=ZinI,求图T1.7所示电路中 和 的值。I0VUO12图 T 1 . 7IUO 2UR2 kLRZD2 kIUO 1U5 0 0R2 kLRZD解：(a)假设稳压管 能够稳压则：Z，IZRLZminL5AUI IR假设成立，所以 UO1=6V ； (b)若稳压管 能够稳压则： ，ZDIZZRL ZminL1UI I假设不成立，稳压管不导通，所以 。 o2IL5V
6、R题1.8 电路如图 T1.8所示，已知 ， ， 。稳压管0=E40180=2的稳定电压 ，稳定电流 ，最大稳定电流 求流过稳压V10=ZUmA5ZinI mAZaxI管的电流 如果 断 开 ， 将 会 出 现 什 么 问 题 ？ 的 最 大?I2R2值 为 多 少 ？解：假设稳压管能够稳压，则:,ZZ12 Zmin12.5EI IZD1 R2 RE1IIZI图 T1.8第一章 常用半导体器件 4 假设成立，且 ，如果R 2断开，稳压管中电流过大将被烧坏；ZmaxZ,12.5AII，R 2的最大值为2k。Z12ax12EUIR题1.9测得放大电路中的两个晶体管的两个电极电流如图T1.9所示。
7、（1） 另一个电极的电流，并在图中标出实际方向；（2） 判断它们的管型，并标出 e、b、c 极； （3） 估算它们的 值和 值。解：图（a）：（1）2mA，流入电极， （2）NPN 型管，上 e 左 c 右 b ， （3）=100，=0.99 ；图（b）：（1）0.3mA，从电极流出， （2）PNP 型管，上 c 左 b 右 e ， （3）=40，=0.975 。题1.10 有两只晶体管， A管的 ， ；B管的 ，0=A20CEOI 50=，其它参数大致相同，用作放大时最好选用哪只管？A0=CEOI解：B管。 （选用BJT时，一般希望极间反向饱和电流尽量小些，以减小温度对 BJT性能的影响）
8、。题1.11 在放大电路中，测得三只晶体管各个电极的电位如下， A管：2V，2.7V，6VB管：2.2V，5.3V，6VC管：4V，1.2V，1.4V试判断晶体管的类型、材料、电极。解：A管：NPN型，硅，e， b，c；B管：PNP型，硅，c， b，e；C管：PNP型，锗，c， e， b。题1.12 用万用表直流电压档测得某电路中三只晶体管各电极的电位如下，A管： ， ， ；B管： ，V18=U3.12BV12=EUV6+=CU， ；C 管： ， ， 。试判断晶.0+B.0E .5+C3.5BE体管的工作状态。解：A管：放大状态，B管：放大状态，C管：临界饱和状态。mA02.02. mA2.1
9、23.1(a) (b)图 T1.9 第一章 常用半导体器件 5 题 1.13工作在饱和状态的 PNP 型晶体管，三个电极电位的关系哪一组正确？（1） ， ， ； BEUBCCEU（2） ， ， ；（3） ， ， ； 解：（1）组正确题1.14 电路如图T1.14所示，已知晶体管 ，导通时 ，试分析50=V7.0=BEU为0、1V、2V三种情况下晶体管T的工作状态即输出端电压BV的值。Ou解：V BB=0时， T截止，u O=12V；VBB=1V时，T 放大，u O=9V；VBB=2V时，T 饱和，u O0.7V。题1.15 电路如图T1.15所示，晶体管的 ，50=，饱和管压降 0.1V=|C
10、ESU；稳压管的稳定电压0.2=|BEU5Z，正向导通电压 。试问：当 和5DIu时 的值各为多少？IuO解：u i=0V时u O=U Z=5V；ui=5V时u O=0.1V。题1.16 某晶体管的极限参数PCM=150mW，I CM=100mA，U (BR)CEO=30V。试问：（1）若它的工作电压 ，则工作电流 不得超V10CECI过多少？（2）若工作电流 ，则工作电压 不得超过多少？ mA=I EU解：（1） IC不得超过5mA（2） UCE不得超过30V题1.17电路如图T1.17（a）所示，场效应管T的输出特性曲线如图（b）所示。（1）画出T在恒流区的转移特性曲线；（2）分析当u I
11、为4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什 么区域？B BVOubR5 kC CV1 2 V )( cR1 kT图 T 1 . 1 4OubR1 0 kC CV1 2 V )( cR1 kIuT图 T 1 . 1 5第一章 常用半导体器件 6 / m ADi/ VD Su05 V8 V6 V1 0 V1 55 1 0 2 0 2 5211 1 V1 2 V9 V34OuD DV1 2 V )( dR3 . 3 kTIuG Su图 T 1 . 1 7解：（1） 略（2） u I=4V时，T工作在夹断区；uI=8V时，T工作在恒流区；uI=12V时，T工作在可变电阻区。题1.18 已知某场
12、效应管的 ， ，求 时的mA10=DSI V4=GS(of)UmA5=DQI低频跨导 。mg解：g m=3.5mS题1.19 已知场效应管的输出特性曲线如图T1.19所示，求管子的下列参数：（1） 夹断电压 或开启电压 ；GS(of)UGS(th)（2） 时的漏源击穿电压 ；V4=SuDBRU（3） 、 时的跨导 。0DA3DimgV4V35 1 01 5 2 06240/ m ADiV5/ VD Su6 VG Su5 1 01 5 2 00图 T 1 . 1 9解：（1） 开启电压U GS(th)=3V；（2） 当U GS=4V时，U (BR)DS=18V；（3） gm=2.83mS题1.2
13、0 试说明图T1.20所示的器件各工作在什么区域？已知：T 1管 ，40=管 ， 管 。2TV=GS(th)3V5.3=GS(of)第一章 常用半导体器件 7 bRcR1 0 0 k2 k1TD DV5 V )( D DVV )3( C CV5 V )( 2T3T( a ) ( b ) ( c )图 T 1 . 2 0解：T 1管工作在放大区，T 2管工作在恒流区，T 3管工作在可变电阻区。第二章基本放大电路 8 题 2.1试分析图 T2.1 所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 Rb RcVCuI uO+- +- RbRcVCuI uO+- +
14、-+ RbRcVCuI uO+- +-VBVB(a) (b) (c)RcVCuO+-VB+-ui TT T T1.2V R2e VCuI uO+- +-+T+R1 Rc Re VCuI uO+- +-+TRb(d) (e) (f)RgRsVDuI uO+- +-+TRdRsVDuI uO+- +-TRdVDuI uO+- +-TRd(g) (h) (i)图 T2.1解：(a) 不能。因为输入信号 被基极电源 短路。iuBV(b) 可能。(c) 不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。(d) 不能。晶体管因发射结电压过大而损坏。(e) 不能。因为输入信号被电容交流
15、短路。(f) 不能。因为输出信号被电源 交流短路。CV(g) 可能。(h) 可能。(i) 不能。因为场效应管 T 截止。第二章基本放大电路 9 题 2.2填空：要求先填文字表达式后填得数。在图 T2.2 所示电路中，已知，晶体管的 ， 。12VC10k0bR（1）当 时，测得 ，若要基极电流iU V7BEQ.，则 和 之和 = A0BQIbRWb；而若测得 ，则 = 。k6CEQc（2）若测得输入电压有效值 时，输出电压有m5iU效值 ，则电压放大倍数 Vo. uA。若负载电阻 值与 相等，则带上负载后输出电压有效值 = V。LRc oU解：（1） ，56kBQECI 3kBQCEIV（2）
16、120ioU， 0.cLoR/题 2.3已知图 T2.2 所示电路中 ， ，静态管压降 ；12VCk3c V6CEQU并在输出端加负载电阻 。选择一个合适的答案填入空内。k3L（1）该电路的最大不失真输出电压有效值 (A)；UomA.2V B.3V C.6V（2）当 时，若在不失真的条件下，减小 ，则输出电压将(C)；mV1iU WRA.减小 B.不变 C.增大（3）在 时，将 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，i WR则输出电压波形将(B)；A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将(B)。A. 减小 B. 减小 C. 减小WRc
17、RCV题 2.4现有基本放大电路如下：选择正确答案填入空内A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路（1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ；（2）输出电阻最小的电路是 ；（3）有电压放大作用的电路是 ；（4）有电流放大作用的电路是 ；（5）高频特性最好的电路是 ；（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。解：（1）C，BDE（2）B （3）ACD（4）ABDE（5）C（6）BCE ，AD图 T2.RWVCuI uO+- +-+TbRc+C1 2第二章基本放大电路 10 题 2.5画出图 T2.5 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。+VCR1R2Rc+ +_ _C1C2 C3Tui uo(a) (b)+ +_ _TC1 C2C3VCuoui R12R3R4uo_ +C2C1R12R3Tui RLuo_ _+ +VCR1R2R3R4C1C2 C3ui T2T1+ +(c) (d)图 T2.5解：题 2.6电路如图 T2.6（a ）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出 和 时的静态工作点和最大不失真输V70BEQ.ULRk3L出电压 （有效值） 。om
