泓域咨询 /IGBT项目投资方案与经济效益分析IGBT项目投资方案与经济效益分析报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资45691.14万元，其中：建设投资33912.96万元，占项目总投资的74.22%；建设期利息377.37万元，占项目总投资的0.83%；流动资金11400.81万元，占项目总投资的24.95%。项目正常运营每年营业收入100900.00万元，综合总成本费用82646.75万元，净利润13340.45万元，财务内部收益率22.02%，财务净现值25689.89万元，全部投资回收期5.57年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本
