IGBT项目研究分析（模板范文）.docx

泓域咨询 /IGBT项目研究分析目录一、 项目概述2二、 项目提出的理由3三、 研究结论3四、 主要经济指标一览表4主要经济指标一览表4五、 产品规划方案及生产纲领5产品规划方案一览表6六、 产业发展方向6七、 机会分析（O）7八、 保障措施8九、 各部门职责及权限10十、 设备选型方案14主要设备购置一览表14十一、 项目进度安排15项目实施进度计划一览表15十二、 项目总投资16总投资及构成一览表16十三、 资金筹措与投资计划17项目投资计划与资金筹措一览表17十四、 经济评价财务测算18十五、 项目盈利能力分析20十六、 偿债能力分析21十七、 项目招标依据22十八、 项目总结23报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1