泓域咨询 /IGBT项目经济效益和社会效益分析IGBT项目经济效益和社会效益分析xxx集团有限公司报告说明IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。根据谨慎财务估算，项目总投资17412.49万元，其中：建设投资14149.54万元，占项目总投资的81.26%；建设期利息285.68万元，占项目总投资的1.64%；流动资金2977.27万元，占项目总投资的17.10%。项目正常运营每年营业收入31900.00万元，综合总成本费用25014.42万元，净利润5036.09万元，财务内部收益率21.28%，财务净现值5666.88万元，全部投资回收期5.89年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上
